Содержание
- Затвором называют
- Диоды классифицируются по типу электрического перехода на
- Светодиоды — это излучающие полупроводниковые приборы, имеющие
- Динисторами называют полупроводниковые приборы
- Параметры, характеризующие свойства полевого транзистора усиливать напряжение, следующие
- В диффузных биполярных транзисторах
- Для улучшения свойств импульсных диодов при их проектировании берется исходный материал с
- Если отрезок времени, в течение которого диод находится в режиме лавинного пробоя, невелик, то
- Точечные диоды можно использовать для выпрямления __________ переменных токов
- Характерной особенностью незапираемого тиристора является то, что
- Стабилитрон — это полупроводниковый диод
- Туннельные диоды могут работать в диапазоне температур от
- Входной ток логического нуля интегральных схем — это
- По принципу действия фотоприёмники можно подразделить на
- Схема включения транзистора в электрическую цепь называется схемой с общим эмиттером, если
- Туннельные диоды обычно работают на участке __________ дифференциальным сопротивлением
- Диоды классифицируются по назначению на
- Дрейфовым током является перемещение
- Стабистором называется полупроводниковый диод
- Эмиттером называется
- Туннельным диодом называют полупроводниковый прибор
- Оптопара с управляемым оптическим каналом
- Входной ток логической единицы интегральных схем — это
- Для участка вольт-амперной характеристики p-n-перехода, соответствующего пробою, характерно
- Инверсным режим работы транзистора называют, когда
- Усиление мощности входного сигнала и уменьшение тока при работе транзистора достигается путем
- Напряжение отпускания интегральных схем — это
- Полевые транзисторы — это полупроводниковые приборы
- Усилительные свойства биполярных транзисторов обусловлены явлениями инжекции
- Полевые транзисторы предназначены для
- В дрейфовых биполярных транзисторах
- Существуют типы полупроводниковых индикаторов
- Аналоговые интегральные схемы предназначены для
- Включение p-n перехода называется обратным, если подключить к p-n переходу внешний источник напряжения так, что
- Проводимость полупроводников в значительной степени зависит от
- Коллектор — это
- Процесс, приводящий к исчезновению свободного электрона и дырки, называется
- Пассивные элементы гибридных ИС могут быть выполнены
- Статические выходные характеристики для схемы с ОБ — это
- Зависимость тока i от напряжения u в полупроводнике называют _________ характеристикой p-n-перехода
- Тепловым называют ток, образованный
- Процесс возникновения свободного электрона и дырки в полупроводнике называется
- Напряжение срабатывания интегральных схем — это
- Волоконно-оптические линии связи
- Туннельный пробой имеет место в (при)
- Чувствительность интегральных схем — это
- База биполярного транзистора — это
- Выходной ток логической единицы интегральных схем — это
- Тиристорами называют полупроводниковые приборы
- Простой светопровод выполняется в виде
Затвором называют
- общий электрод от контактов областей
- контакт, через который носители заряда входят в канал
- часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами
- контакт, через который носители заряда вытекают
Диоды классифицируются по типу электрического перехода на
- кремниевые, германиевые, из арсенида галлия
- точечные и плоскостные
- сплавные, диффузионные
- выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы
Светодиоды — это излучающие полупроводниковые приборы, имеющие
- два p-n-перехода
- два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением
- один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект
- один p-n-переход, преобразующие электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения
Динисторами называют полупроводниковые приборы
- которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы
- работающие как широкополосные усилители
- с двумя устойчивыми режимами работы
- имеющие два силовых электрода
Параметры, характеризующие свойства полевого транзистора усиливать напряжение, следующие
- внутреннее дифференциальное сопротивление
- коэффициент усиления
- крутизна стокозатворной характеристики
- барьерная емкость р-n перехода
В диффузных биполярных транзисторах
- концентрация атомов примесей различна в различных точках базы
- дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу
- концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях
- движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии
Для улучшения свойств импульсных диодов при их проектировании берется исходный материал с
- большим временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью
- малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с большой площадью
- большим временем жизни носителей заряда и р-n переход c большой площадью
- малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью
Если отрезок времени, в течение которого диод находится в режиме лавинного пробоя, невелик, то
- процесс рекомбинации замедлен
- диффузионная емкость перехода равна нулю
- его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя
- участок электрического пробоя практически отсутствует
Точечные диоды можно использовать для выпрямления __________ переменных токов
- малых низкочастотных
- больших высокочастотных
- больших
- малых
Характерной особенностью незапираемого тиристора является то, что
- изменение температуры влияет на значение обратного тока коллекторного перехода
- он передает части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную
- его нельзя выключить с помощью тока управления
- полярности напряжений противоположны и происходит сдвиг фаз на 180° между UВХ и UВЫХ
Стабилитрон — это полупроводниковый диод
- с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами
- работающий в режиме электрического пробоя
- сконструированный на основе вырожденного полупроводника
- обладающий усилительными свойствами
Туннельные диоды могут работать в диапазоне температур от
- 140 до 340 K
- 140 до 640 K
- 4 до 240 K
- 4 до 640 K
Входной ток логического нуля интегральных схем — это
- значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме
- входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля
- значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах
- входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы
По принципу действия фотоприёмники можно подразделить на
- тепловые
- содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля
- электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации
- фотоэлектрические
Схема включения транзистора в электрическую цепь называется схемой с общим эмиттером, если
- база является общим электродом для источников напряжения
- коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением
- эмиттер является общим электродом для источников напряжения
- коллектор является общим электродом для источников напряжения
Туннельные диоды обычно работают на участке __________ дифференциальным сопротивлением
- ФЧХ с отрицательным
- ФЧХ с положительным
- ВАХ с отрицательным
- ВАХ с положительным
Диоды классифицируются по назначению на
- выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы
- туннельные, фотодиоды, светодиоды
- точечные и плоскостные
- сплавные, диффузионные
Дрейфовым током является перемещение
- основных носителей против поля р-n перехода
- неосновных носителей в направлении поля р-n перехода
- одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р-n перехода
- одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р-n перехода
Стабистором называется полупроводниковый диод
- напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока
- спроектированный с расчетом на работу в режиме тоннельного пробоя
- напряжение на котором при обратном включении мало зависит от тока
- спроектированный с расчетом на работу в режиме лавинного пробоя в течение некоторого короткого времени
Эмиттером называется
- контакт металл — полупроводник
- электронно-дырочный переход
- область, в которую инжектируются носители заряда
- область, из которой инжектируются носители заряда
Туннельным диодом называют полупроводниковый прибор
- из исходного материала с малым временем жизни носителей заряда и р-n переходом большой площади
- сконструированный на основе вырожденного полупроводника
- с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами
- сконструированный на основе полупроводника с низким содержанием примеси
Оптопара с управляемым оптическим каналом
- выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник
- есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне
- в виде гибкого волоконно-оптического световода — кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом
- прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях
Входной ток логической единицы интегральных схем — это
- значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах
- входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля
- входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы
- значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме
Для участка вольт-амперной характеристики p-n-перехода, соответствующего пробою, характерно
- незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока
- значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока
- значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока
- незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока
Инверсным режим работы транзистора называют, когда
- в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный — в обратном
- оба p-n-перехода смещены в обратном направлении
- коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер — роль коллектора
- один переход смещен в прямом направлении, а другой — в обратном
Усиление мощности входного сигнала и уменьшение тока при работе транзистора достигается путем
- вплавления примесей
- уменьшения толщины базы
- смещение перехода в прямом направлении
- включения инверсного режима работы транзистора
Напряжение отпускания интегральных схем — это
- наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
- наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
- наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока
- наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И
Полевые транзисторы — это полупроводниковые приборы
- с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов
- усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током
- усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем
- с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем
Усилительные свойства биполярных транзисторов обусловлены явлениями инжекции
- основных носителей и экстракции неосновных носителей заряда
- неосновных носителей и экстракции основных носителей заряда
- и экстракции неосновных носителей заряда
- основных носителей заряда
Полевые транзисторы предназначены для
- импульсных переключающих устройств
- усиления на высоких и сверх высоких частотах
- усиления мощности и преобразования электрических колебаний
- усилительных устройств, для малых переменных токов
В дрейфовых биполярных транзисторах
- концентрация атомов примесей различна в различных точках базы
- движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии
- концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях
- дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу
Существуют типы полупроводниковых индикаторов
- цифровые и буквенно-цифровые
- светодиодные
- люминесцентные
- одно- и многоразрядные
Аналоговые интегральные схемы предназначены для
- обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции
- обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций
- для задержки сигналов
- программирования и хранения цифровых массивов
Включение p-n перехода называется обратным, если подключить к p-n переходу внешний источник напряжения так, что
- «-» будет подключен к p-области
- «-» будет подключен к n-области
- «+» — к p-области
- «+» — к n-области
Проводимость полупроводников в значительной степени зависит от
- наличия примесей
- температуры
- состава атмосферы
- атмосферного давления
Коллектор — это
- крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции
- крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей
- крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей
- средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей
Процесс, приводящий к исчезновению свободного электрона и дырки, называется
- рекомбинацией
- регенерацией
- ионизацией
- генерацией
Пассивные элементы гибридных ИС могут быть выполнены
- как вакуумные микродиодные и триодные структуры
- на основе толстопленочной технологии
- по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки
- на основе тонкопленочной технологии
Статические выходные характеристики для схемы с ОБ — это
- при UКЭ=const
- при UКБ=const
- при IЭ=const
- при IБ=const
Зависимость тока i от напряжения u в полупроводнике называют _________ характеристикой p-n-перехода
- вольт-амперной
- вебер-амперной
- кулон-вольтной
- внешней
Тепловым называют ток, образованный
- концентрацией неосновных носителей заряда р-n перехода
- перемещением неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными
- концентрацией основных носителей заряда р-n перехода
- перемещением основные носители заряда в смежную область, где они являются неосновными
Процесс возникновения свободного электрона и дырки в полупроводнике называется
- регенерацией
- ионизацией
- рекомбинацией
- генерацией
Напряжение срабатывания интегральных схем — это
- наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока
- наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС
- наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
- наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
Волоконно-оптические линии связи
- приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы
- электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации
- оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически
- устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом
Туннельный пробой имеет место в (при)
- р-n-переходах с низкоомной базой
- р-n-переходах с высокоомной базой
- отрицательном дифференциальном сопротивлении
- разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости
Чувствительность интегральных схем — это
- наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям
- наибольшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям
- заданное значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям
- среднее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям
База биполярного транзистора — это
- крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей
- средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей
- крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей
- крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции
Выходной ток логической единицы интегральных схем — это
- значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах
- выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля
- выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы
- значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах
Тиристорами называют полупроводниковые приборы
- усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых током
- усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых электрическим полем
- с двумя устойчивыми режимами работы (включен, выключен), имеющие три или более p-n переходов
- с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем
Простой светопровод выполняется в виде
- открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне
- материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях
- прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник
- гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом